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双面金属化聚丙烯膜IGBT吸收电容器(端子式) SCD

特点:

●适用于高频10K~200KHZ,高压3000VDC以下电路中;

●损耗小,温升低,环温 85℃温升≤8℃;

环温105℃温升≤6℃;

●高可靠性:Undc,85℃,1000H,△C≤±5%;

105℃,1000H,△C≤±10%;

●低ESL,ESR;高dv/dt.


结构:

● 内部串联卷绕结构

●介质 : 聚丙烯膜

●电极 :双面金属化膜.

●引出端 : 铜片端

●封装 : UL94V0阻燃性壳体和环氧树脂封装。


主要用途:

● IGBT吸收电容器


产品详细说明:双面金属化聚丙烯膜IGBT吸收电容器(端子式) -SCD.pdf

点击次数:  更新时间:2020-01-02 10:28:55  【打印此页】  【关闭